1.尝试在以白玻璃为基底，顺序溅射Cu、Si制备Cu-Si叠层，发现不同溅射时长的硅靶可以得到不同颜色的铜硅叠层。但是未得到铜硅合金，考虑可能是由于Si在磁控溅射后呈现非晶态，退火程度不够导致Cu-Si合金相为能检测出来。后续未利用溅射合金预制层后硫化法成功制备出Cu₂Si_xSn_1-xS₃薄膜材料。

2.硅片上Cu-Si-S薄膜材料的制备：

以太阳能级多晶硅片为基底，通过磁控溅射沉积Cu薄膜后合金化，制备出了较纯物相的Cu-Si合金，并已初步制得Cu-Si-S薄膜材料。

2.1合金化工艺（合金化温度、合金化真空度）对Cu-Si合金形成的影响及合金化过程中Cu在Si片表面扩散的影响规律以及合金预制层的成分和形貌的影响规律。

研究表明10pa、550℃条件下合金化效果较好，说明气压越低合金化化效果越好，温度越过高可能导致铜薄膜向某个区域发生迁移，最终反而不利于Cu-Si合金的生成，具体影响机制及Cu在Si表面的扩散机理需进行更深一步的研究。

2.2 Cu-Si合金预制层的硫化

采用固态硫化法对多晶硅片和单晶硅片基底上的Cu-Si合金预制层进行硫化，期望得到较纯物相的Cu-Si-S薄膜材料。并研究硫化工艺（硫化时间、固态硫源温度等）对Cu-Si-S薄膜材料成分、形貌的影响规律。由微区XRD图可知，硫化后样品的两个测试区域物相没有较大的差异。将Cu-Si合金样品放入管式炉中，利用固态硫粉在550℃，10pa条件下保温20min成功合成了Cu8SiS6，但XRD图中Cu8SiS6的峰有部分缺失，这可能是由于样品的结构缺陷所致。

1.尝试研究真空度和合金化温度对在硅片表面Cu-Si合金形成的影响。

2.研究出一条能够稳定地在硅片上合成得到Cu-Si-S薄膜的工艺路线。

3.以金属锑的硫化为主要工作，开展一些等离子固态硫化制备硫化锑的实验。