| 通过3个月的筛选，我所选用的芯片是MOSFET 开关管集成在芯片中的，所以不用多选用一个MOSFET开关管，在一个开关电源电路里，主要的功耗在于MOSFET 开关管的损耗,MOSFET开关管的损耗包括三方面的损耗: 1.MOSFET开关管导通损耗。2.MOSFET开关管导通关断间损耗。3． MOSFET 开关管关断损耗。所以在芯片的MOSFET 开关管的导通电阻就显得非常关键了，要使损耗变得越小，则需要的MOSFET 开关管的导通电阻越小越好。选用的ICE3A0565芯片的Rd (MOSFET 开关管的导通电阻）为4.7欧姆，开关管Drain电压最大为650V，频率为10OKHz，在全范围电压AC85V~AC264V条件下可以出12W功率，该芯片实现的技术指标有:1.芯片有软启动电路。2.具有抗EMI功能。3.具有过温保护功能和过功率保护功能。4.待机功耗低于0.1W。5.属于无铅产品。
对该控制电路进行分析:第1脚BL为软启动脚，对地加的电容为C6、C16,由于该产品需要能在-5℃正常工作，所以该电路中所选用的器件要低温特性好的器件，这芯片本身就是一种低功耗芯片，BL脚对地上的电容需要加到一定容量才能使软启动电路正常工作，所以需要加到2u的容量。第2脚FB比较对地也需要加一电容，该电容的大小直接将影响到动态环路的好与坏。第3脚CS为采样电流脚，而第6脚是空脚（具有散热功能)，CS 脚本身电流流过也比较大，所以将第6脚连起来有利于CS脚的散热，R4、R6、R7、R18称为采样电阻，因为芯片全范围电压下能出12W，而该产品的额定功率只需要10W，则需要采样电阻来控制采样限流。第4、5脚Drain为漏极脚，最高电压为650V。第7脚Vcc为辅助源脚，从电路上可看出来，该辅助源不需要加一个启动电阻，从而使该电源工作的同时可以降低功耗，一般情况下，在高压端AC264V，将近有0.8W损耗，C4、C5为辅助源电容，R2、R5电阻起到抗冲击的作用，防止辅助源二极管D4冲坏。第8脚为接地脚，要与母线电解电容C2连接起来。这PWM控制芯片组成控制电路实际上也包括了占空比控制电路了。
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